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A method for the operation of a mos - structure and mos - structure therefor.

机译:一种用于操作mos结构的方法及其mos结构。

摘要

A SOI-nMOS-structure is cooled such that a charge is maintained in a cavity (5) of such structure for a long period of time. Applications comprise memory element.
机译:冷却SOI-nMOS结构,使得电荷在这种结构的腔(5)中长时间保持。应用程序包含存储元素。

著录项

  • 公开/公告号DE68913119T2

    专利类型

  • 公开/公告日1994-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IMEC INTER UNI MICRO ELECTR BE;

    申请/专利号DE1989613119T

  • 发明设计人 TACK MARNIX ROGER ANNA BE;

    申请日1989-10-03

  • 分类号H01L29/784;H01L29/66;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 04:35:15

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