首页> 外国专利> SOI CMOS logic circuit with transfer gates

SOI CMOS logic circuit with transfer gates

机译:具有传输门的SOI CMOS逻辑电路

摘要

Pass transistor logic circuits are formed on an SOI (Silicon On Insulator) substrate, which can significantly reduce the capacitances of the source/drain diffusion layers of MOS transistors, by using CMOS transfer gates (TG0∼TG13) . The pass transistor logic circuits are connected in multistage and in series in a signal propagation direction to form a logic, thereby improving the operational speed and reducing the number of transistors and power dissipation.
机译:传输晶体管逻辑电路形成在绝缘体上硅(SOI)衬底上,可通过使用CMOS传输门(TG0〜TG13)显着减小MOS晶体管的源极/漏极扩散层的电容。传输晶体管逻辑电路在信号传播方向上多级串联连接以形成逻辑,从而提高了运算速度并减少了晶体管的数量和功耗。

著录项

  • 公开/公告号EP0776046A1

    专利类型

  • 公开/公告日1997-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号EP19960118642

  • 发明设计人 KUMAGAI KOUICHI;

    申请日1996-11-20

  • 分类号H01L27/12;G06F7/50;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 03:19:42

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号