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A semiconductor laser for the generation of visible light

机译:用于产生可见光的半导体激光器

摘要

a visible light from a first leitfu00e4higkeitstyps halbleiterlaser has a halbleitersubstrat, on the substrate, and a first and dotierungs contamination containing u00fcberzugsschicht algainp - the first leitfu00e4higkeitstyps, one on the u00fcberzugsschicht ordered e rste semiconductor abstandhalterschicht, one on the first abstandhalterschicht ordered undotierte,active ingap layer, with the first abstandhalterschicht penetrating the first dotierungs contamination in the active layer on the active layer from the second semiconductor abstandhalterschicht, an active layer and a second dotierungs - verun ordered cleaning algainp - lichtleiterschicht containing a second leitfu00e4higkeitstyps,with the second abstandhalterschicht the penetration of the second dotierungs contamination in the active layer from a semiconductor stromkonzentrations and sammelstruktur the second leitfu00e4higkeitstyps on the lichtleiterschicht and on the substrate. the stromkonzentrations and sammelstruktur arranged first and second electrode.
机译:来自第一个leitf的可见光halbleiterlaser在基板上具有一个halbleiter底物,并且包含第一个和第一个包含藻类的污染物-第一个leitf的半导体衬底上有一个第一个leitf的有序半导体,在第一个abstandhalterschicht订购了无层活性隔层,第一abstandhalterschicht从第二半导体abstandhalterschicht,活性层和第二dotierungs渗透了有源层上活性层中的第一dotierungs污染物-verun订购了第二alitinp清洁剂-lichtleiterschicht使用第二种吸附剂,第二种掺杂剂会渗透到半导体层中的有源层中,并在脂膜和衬底上破坏第二种吸附剂。 stromkonzentrations和sammelstruktur布置了第一和第二电极。

著录项

  • 公开/公告号DE4119921C2

    专利类型

  • 公开/公告日1996-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI DENKI K.K. TOKIO/TOKYO JP;

    申请/专利号DE19914119921

  • 发明设计人 TSUGAMI MARI ITAMI HYOGO JP;

    申请日1991-06-17

  • 分类号H01S3/19;H01L33/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 03:13:52

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