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Enhanced chemical-mechanical polishing (E-CMP) method of forming a planar surface on a thin film magnetic head to avoid pole recession

机译:增强化学机械抛光(E-CMP)方法在薄膜磁头上形成平坦表面以避免磁极凹陷

摘要

A method of enhanced chemical-mechanical polishing (E-CMP) utilizes an oxygen-rich liquid etchant in an abrasive slurry to form a substantially planar surface on a thin film magnetic head to substantially avoid pole recession. Illumination of the thin film magnetic head with ultraviolet light during E-CMP polishing greatly enhances the effect of the oxygen- rich etchant.
机译:一种增强的化学机械抛光(E-CMP)方法,其在磨料浆中利用富氧液体蚀刻剂在薄膜磁头上形成基本上平坦的表面,从而基本上避免了磁极退缩。在E-CMP抛光过程中用紫外线照射薄膜磁头会大大增强富氧蚀刻剂的效果。

著录项

  • 公开/公告号US5811355A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AIWA CO. LTD.;

    申请/专利号US19960741838

  • 发明设计人 STEPHEN G. JORDAN;

    申请日1996-10-31

  • 分类号B44C1/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:38:35

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