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Shortening simulation time for electronic power circuits e.g. four quadrant DC adjusting circuit

机译:缩短电子电源电路的仿真时间,例如四象限直流调节电路

摘要

The determination of switching times and generation of a pulse pattern for energizing semiconductor switches takes place prior to the circuit simulation by an ESPAM program. The conditions for the circuit to be stimulated are two DC sources of 220V, two IGBTs as the power semiconductor switches, flank rise time of energizing signals 0.5E-0.6s, frequency of reference signal (switching frequency) of 10 kHz, rated signal frequency 50Hz, inductive load: R = 20 ohm, L = 20 MH.
机译:在通过ESPAM程序进行电路仿真之前,需要确定开关时间和为半导体开关通电的脉冲模式的产生。待激励电路的条件是两个220V直流电源,两个IGBT作为功率半导体开关,激励信号的侧翼上升时间0.5E-0.6s,参考信号的频率(开关频率)为10 kHz,额定信号频率50Hz,感性负载:R = 20 ohm,L = 20 MH。

著录项

  • 公开/公告号DE19749553A1

    专利类型

  • 公开/公告日1999-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HARLING OLIVER 28876 OYTEN DE;

    申请/专利号DE1997149553

  • 发明设计人 HARLING OLIVER 28876 OYTEN DE;

    申请日1997-11-10

  • 分类号H02M3/10;H03K17/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 02:13:03

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