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机译:在服务器上,mos集成了阈值高电压和低c系数传播。
公开/公告号ITTO991112D0
专利类型
公开/公告日1999-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;
申请/专利号IT1999TO01112
发明设计人 DALLA LIBERA GIOVANNA;VAJANA BRUNO;PATELMO MATTEO;
申请日1999-12-17
分类号H01L29/78;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 01:54:02
机译: 服务器,mos集成了阈值的高电压和低音系数传播。
机译: 服务器上,mos集成了阈值高电压和低乘法率。
机译: 低压低功耗CMOS集成电路的阈值电压补偿电路