机译:一种制备用于电子束的偏转孔径矩阵的方法-曝光装置,湿法蚀刻工艺以及-用于制造孔径矩阵和电子束的设备-具有该孔径矩阵的照明装置
公开/公告号DE19928085A1
专利类型
公开/公告日2000-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 ADVANTEST CORP. TOKIO/TOKYO JP;
申请/专利号DE1999128085
申请日1999-06-11
分类号H01L21/306;H01L49/00;H01J37/317;H01J37/09;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 01:42:01