机译:半导体设备生产过程中等离子体蚀刻室压力的测量方法和半导体设备生产过程中等离子体蚀刻室压力和蚀刻效率的同步测量方法无效
公开/公告号JP3131689B2
专利类型
公开/公告日2001-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 華邦電子股▲ふん▼有限公司;
申请/专利号JP19990167957
发明设计人 李世▲しん▼;
申请日1999-06-15
分类号H01L21/3065;G01L21/34;H01L21/66;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 01:32:50