机译:用于降低MOSFET中的1 / f噪声的电路可实现晶体管的连续操作,而无需在工作状态和静止状态之间进行切换-具有与MOSFET相关的周期性电流和/或电压源,因此工作点在恒定工作点附近振荡以降低1 / f噪音
公开/公告号DE10001124C1
专利类型
公开/公告日2001-06-07
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE2000101124
申请日2000-01-13
分类号H01L23/58;H03F3/45;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 01:09:59