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Thin-film structure having reliably removable oxide layer formed on bump exposed at surface of insulating layer and manufacturing method therefor

机译:具有在绝缘层的表面上暴露的凸块上形成的可可靠去除的氧化物层的薄膜结构及其制造方法

摘要

In a thin-film structure, since a flat face of a bump, which is exposed at the surface of an insulating layer and is to be in contact with an electrode layer, is an exposed surface of a nickel layer, an oxide layer on the flat face can be reliably removed by using ion-milling or sputter etching.
机译:在薄膜结构中,由于暴露在绝缘层的表面并与电极层接触的凸块的平坦表面是镍层的暴露表面,因此在该表面上的氧化物层通过使用离子铣削或溅射蚀刻可以可靠地去除平面。

著录项

  • 公开/公告号US6476485B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALPS ELECTRIC CO. LTD.;

    申请/专利号US20000569155

  • 发明设计人 KIYOSHI SATO;

    申请日2000-05-11

  • 分类号H01L298/20;H01L430/00;H01L234/80;H01L235/20;H01L294/00;G11B51/27;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:46:58

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