首页> 外国专利> Planar inverted F antenna with high impedance ground-plane structure for use in Bluetooth (RTM) communication module uses high impedance ground-plane to increase bandwidth of antenna

Planar inverted F antenna with high impedance ground-plane structure for use in Bluetooth (RTM) communication module uses high impedance ground-plane to increase bandwidth of antenna

机译:用于蓝牙(RTM)通信模块的具有高阻抗接地层结构的平面倒F天线使用高阻抗接地层来增加天线的带宽

摘要

A high impedance ground-plane (25) is connected to the plate constituting the counterpoise (10) and is provided with a feeding pin (15) that is connected via a hole in the counterpoise to the output terminal of the power amplifier supplying a radiator element (20) with radio frequency power to be radiated. AN Independent claim is included for a method of producing a microwave antenna device.
机译:高阻抗接地平面(25)连接到构成地锤(10)的板上,并设有馈电销(15),该馈电销(15)通过地锤中的孔连接到为散热器供电的功率放大器的输出端子具有要辐射的射频功率的元件(20)。本发明包括一种微波天线装置的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号SE518517C2

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL);

    申请/专利号SE20010001427

  • 发明设计人 JONATAN REDVIK;

    申请日2001-04-24

  • 分类号H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/24;

  • 国家 SE

  • 入库时间 2022-08-22 00:42:56

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号