机译:估计剩余膜厚分布的方法,使用该估计残留膜厚分布的方法设计图案化掩模的方法以及通过使用通过使用估计剩余膜厚分布的方法设计的图案化掩模来制造半导体器件的方法
公开/公告号US2004019871A1
专利类型
公开/公告日2004-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 MORITA TAKESHI;
申请/专利号US20030627734
发明设计人 TAKESHI MORITA;
申请日2003-07-28
分类号G06F17/50;
国家 US
入库时间 2022-08-21 23:16:38