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Method and apparatus for the Prevention of Fading Phenomena in Semiconductor type Neutron Detector using Displacement Damage in Detection

机译:利用检测中的位移损伤防止半导体型中子探测器褪色现象的方法和装置

摘要

PURPOSE: An apparatus and a method for preventing fail of a semiconductor type neutron probe device are provided to prevent a loss of dosimetry information of neutrons by using a displacement damage principle. CONSTITUTION: An exposure dose of a neutron is represented at an initial time(1). Then, a next measurement step is carried out(2). In this state, variation of the exposure dose of the neutron between above steps is detected(3). If an amount of the exposure dose is increased, the amount of increased exposure dose is accumulated and the next measurement step is carried out(4). If the exposure dose is reduced, previous exposure dose value is maintained(5). Then, the next measurement step is carried out, thereby preventing a loss of dosimetry information of neutrons.
机译:目的:提供一种用于防止半导体型中子探针装置失效的设备和方法,以通过使用位移损伤原理来防止中子的剂量学信息的损失。宪法:中子的暴露剂量是在初始时间(1)。然后,进行下一个测量步骤(2)。在这种状态下,检测到上述步骤之间中子暴露剂量的变化(3)。如果增加曝光剂量,则累积增加的曝光剂量,然后执行下一个测量步骤(4)。如果减少暴露剂量,则将保持先前的暴露剂量值(5)。然后,执行下一测量步骤,从而防止中子剂量学信息的损失。

著录项

  • 公开/公告号KR100437864B1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20020050462

  • 发明设计人 이남호;김승호;조재완;

    申请日2002-08-26

  • 分类号G01T3/08;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:46:54

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