机译:热电有源P或N掺杂半导体,包含它的热电发生器或Peltier器件,用于热电发生器或Peltier器件的半导体材料以及导电衬底上不同半导体材料的矩阵的组合制备和测试方法
公开/公告号RU2002123316A
专利类型
公开/公告日2004-03-20
原文格式PDF
申请/专利权人 БАСФ АКЦИЕНГЕЗЕЛЬШАФТ (DE);
申请/专利号RU20020123316
申请日2002-08-30
分类号H01L25/00;
国家 RU
入库时间 2022-08-21 22:45:30