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Current detection circuit for bi-directional DC converter, has high and low side FETs, and current mirror circuit imposing collector current of one set of MOSFETs to collector current of other set based on reference potential

机译:用于双向DC转换器的电流检测电路,具有高侧和低侧FET,电流镜电路根据参考电势将一组MOSFET的集电极电流施加到另一组MOSFET的集电极电流上

摘要

The circuit has a phase conductor with high side field effect transistors (FETs) (M1, M3, M5) and/or low side field effect transistors (FETs) (M2, M4, M6), and inductors (L1-L3). A current mirror circuit (Q3, Q4, Q8, R1, R2, R5, R6) imposes a collector current of one set of MOSFETs (Q2, Q7) to a collector current of other set of MOSFETs (Q1, Q6) relative to a reference potential.
机译:该电路具有一个相导体,该相导体具有高端场效应晶体管(FET)(M1,M3,M5)和/或低端场效应晶体管(FET)(M2,M4,M6)和电感器(L1-L3)。电流镜电路(Q3,Q4,Q8,R1,R2,R5,R6)将一组MOSFET(Q2,Q7)的集电极电流施加到另一组MOSFET(Q1,Q6)的集电极电流,相对于参考电位。

著录项

  • 公开/公告号FR2853468A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号FR20040003422

  • 发明设计人 BOLZ STEPHAN;LUGERT GUNTER;

    申请日2004-04-01

  • 分类号H02M1/00;G01R19/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 22:39:14

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