机译:去除有机卤素化合物气体的有害影响的方法,去除有机卤素化合物气体的有害影响的设备,用于制造半导体器件的系统以及用于制造半导体器件的方法
公开/公告号US2005034814A1
专利类型
公开/公告日2005-02-17
原文格式PDF
申请/专利权人 TOSHIKAZU SUGIURA;
申请/专利号US20040947525
发明设计人 TOSHIKAZU SUGIURA;
申请日2004-09-22
分类号C23F1/00;
国家 US
入库时间 2022-08-21 22:23:56