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Lower power high speed design in BiCMOS processes

机译:BiCMOS工艺中的低功耗高速设计

摘要

A low power high-speed design for integrated circuits using BiCMOS processes is disclosed. The design uses a first stage including bipolar transistor pairs configured as inputs and drivers for an output. A second CMOS stage is coupled to the first stage in a series-gated configuration and receives clock or data inputs. A third stage is coupled to the second stage and is configured as a current source. The combination results in circuits that can operate at conventional supply voltages of 1.8 volts.
机译:公开了一种用于使用BiCMOS工艺的集成电路的低功耗高速设计。该设计使用的第一级包括配置为输入和输出驱动器的双极晶体管对。第二个CMOS级以串联门控配置耦合到第一级,并接收时钟或数据输入。第三级耦合到第二级并且被配置为电流源。这种结合导致电路可以在传统的1.8伏电源电压下工作。

著录项

  • 公开/公告号US2005046444A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ULRICH DIETER FELIX KEIL;

    申请/专利号US20030651245

  • 发明设计人 ULRICH DIETER FELIX KEIL;

    申请日2003-08-29

  • 分类号H03K19/086;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:21:56

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