退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:在半导体存储器中形成闸门式闸门以在闸门成形操作之后立即执行闸门成形操作的方法
公开/公告号KR20050014941A
专利类型
公开/公告日2005-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号KR20030053363
发明设计人 CHO MIN HEE;
申请日2003-08-01
分类号H01L21/336;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:05:50
机译: 使用擦除门执行擦除操作的半导体存储器以及该半导体存储器的制造方法
机译: 使用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储器件及其制造方法