首页> 外国专利> METHOD FOR FORMING RECESS-TYPE GATE IN SEMICONDUCTOR MEMORY TO PERFORM GATE FORMING OPERATION RIGHT AFTER RECESS FORMING OPERATION

METHOD FOR FORMING RECESS-TYPE GATE IN SEMICONDUCTOR MEMORY TO PERFORM GATE FORMING OPERATION RIGHT AFTER RECESS FORMING OPERATION

机译:在半导体存储器中形成闸门式闸门以在闸门成形操作之后立即执行闸门成形操作的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号KR20050014941A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20030053363

  • 发明设计人 CHO MIN HEE;

    申请日2003-08-01

  • 分类号H01L21/336;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:50

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号