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机译：用于湿法蚀刻的添加剂藻类表层以及使用该蚀刻剂制造半导体器件的方法
公开/公告号KR20050094510A
专利类型
公开/公告日2005-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 POSTECH FOUNDATION;
申请/专利号KR20040019641
发明设计人 KWON O DAE;KIM MOO JIN;KIM DONG KWON;
申请日2004-03-23
分类号H01L21/306;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:04:30
机译： 用于湿蚀刻AlGaAs外延层的蚀刻剂和使用该蚀刻剂的半导体器件的制造方法
机译： 用于湿法刻蚀的AlXGaI-XAs外延层的刻蚀剂以及使用该刻蚀剂制造半导体器件的方法
机译： 制造半导体装置的湿法蚀刻装置及其中的使循环剂循环的方法
