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Semiconductor memory has memory cells wordlines and bitlines with a device to dynamically alter the electrical active length of the bitlines

机译:半导体存储器具有存储单元字线和位线,以及可动态改变位线电激活长度的设备

摘要

A semiconductor memory cell comprises many memory cells (10), controlled by wordlines (WL) and having bitlines (BL) to transmit information into and out of the cells. There is at least one device (20,28) to dynamically alter the electrically active length of at least one bitline.
机译:半导体存储单元包括许多存储单元(10),这些存储单元由字线(WL)控制并具有位线(BL),以将信息传输进出单元。有至少一个设备(20,28)动态地改变至少一条位线的电激活长度。

著录项

  • 公开/公告号DE10334125A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2003134125

  • 发明设计人 ZIELBAUER JUERGEN;

    申请日2003-07-25

  • 分类号G11C11/40;G11C7/18;G11C7/02;G11C5/06;G11C29/00;G11C11/406;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:01:20

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