首页> 外国专利> Hot-wire flow sensor LIQUIDS AND Gakhov

Hot-wire flow sensor LIQUIDS AND Gakhov

机译:热线流量传感器LIQUIDS AND Gakhov

摘要

1.u0442u0435u0440u043cu043eu0430u043du0435u043cu043eu043cu0435u0442u0440u0438u0447u0435u0441u043au0438u0439 the flow of liquids and gases, constructed in the shape of a crystal containing a silicon frame, the membrane and the frame is the basis u043fu00a0u0442u044c pl. u0430u0442u0438u043du043eu0432u044bu0445 u0442u0435u0440u043cu043eu0447u0443u0432u0441u0442u0432u0438u0442u0435u043bu044cu043du044bu0445 resistors on the surface of the crystal, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0 because the membrane is made from layers of u0447u0435u0440u0435u0434u0443u044eu0449u0438u0445u0441u00a0 and u043du0438u0442u0440u0438u0434u0430 u043au0440u0435u043cu043du0438u00a0, tol u0449u0438u043du044b which u0441u043eu043eu0442u043du043eu0441u00a0u0442u0441u00a0 (3 - 3.5): 1, and the thickness of its u043eu0431u0449u0430u00a0 not exceeding 2 microns.on the membrane under the central resistor by an additional heating resistor, isolated from the last u0441u043bu043eu00a0u043cu0438 u0434u0438u044du043bu0435u043au0442u0440u0438u043au0430.;2. on u0442u0435u0440u043cu043eu0430u043du0435u043cu043eu043cu0435u0442u0440u0438u0447u0435u0441u043au0438u0439 sensor 1, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0, between the platinum resistors on the membrane are four cross cutting slit width over the entire length of 1 microns at the membrane and u043eu0442u0434u0435u043bu00a0u044eu0449u0438u0445 central resistor from the side and the side of the frame u043eu0441u043du043eu0432u0430u043du0438u00a0 air gap.;3. on u0442u0435u0440u043cu043eu0430u043du0435u043cu043eu043cu0435u0442u0440u0438u0447u0435u0441u043au0438u0439 sensor 1, u043eu0442u043bu0438u0447u0430u044eu0449u0438u0439u0441u00a0, u0438u0437u043eu043bu00a0u0446u0438u00a0 between the resistor and a heater made of u0441u043bu043eu00a0 Al2O3 or u0430u043bu043cu0430u0437u043eu043fu043eu0434u043eu0431u043du043eu0439 film.
机译:1. u0442 u0435 u0440 u043c u043e u0430 u043d u0435 u043c u043c u043e u043c u0435 u0442 u0440 u0438 u0447 u0435 u0441 u0431 u043a u0438 u0439 ,以包含硅框架的晶体形状构造,膜和框架是基础。 u0430 u0442 u0438 u043d u043e u0432 u044b u0445 u0442 u0435 u0440 u043c u043e u0447 u0443 u0432 u0441 u0442 u0432 u0432 u0438 u0442 u0435 u043b u044c u044b u0445晶体表面上的电阻 u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0因为膜是由 u0447 u0435 u0440的层制成的 u0435 u0434 u0443 u044e u0449 u0438 u0445 u0441 u00a0和 u043d u0438 u0442 u0440 u0438 u0434 u0430 u043a u0440 u0435 u043c u043d u0438 u00a0至u0449 u0438 u043d u044b,其中 u0441 u043e u043e u0442 u043d u043e u0441 u00a0 u0442 u0441 u00a0(3- 3.5):1,其 u043e u0431 u0449 的厚度u0430 u00a0不超过2微米。在中心电阻下方的膜上有一个附加的加热电阻,与最后一个 u0441 u043b u043e u00a0 u043c u0438 u0434 u0438 u044d u043b u0435 u043a u0442 u0440 u0438 u043a u0430 ;; 2。在 u0442 u0435 u0440 u043c u043e u0430 u043d u0435 u043c u043c u043e u043c u0435 u0442 u0440 u0438 u0447 u0435 u0441 u0431 u043a u0438 u0439传感器1, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0,在膜片上的铂电阻之间是四个横切缝宽度,在膜片的整个1微米长处和 u043e u0442 从框架的侧面和侧面的中央电阻u0434 u0435 u043b u00a0 u044e u0449 u0438 u0445; 3。在 u0442 u0435 u0440 u043c u043e u0430 u043d u0435 u043c u043c u043e u043c u0435 u0442 u0440 u0438 u0447 u0435 u0441 u0431 u043a u0438 u0439传感器1, u043e u0442 u043b u0438 u0447 u0430 u044e u0449 u0438 u0439 u0441 u00a0, u0438 u0437 u043e u043b u00a0 u0446 u0438 u00438 u00a0在由 u0441 u043b 制成的加热器之间u043e u00a0 Al2O3或 u0430 u043b u043c u0430 u0437 u043e u043f u043e u0434 u043e u0431 u043d u043e u0439膜。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号