解决方案:当在像素区域7中形成用于构成诸如电致发光元件或LED元件之类的发光元件的有机半导体膜时,在其周围由黑色抗蚀剂形成堤层'bank'。甚至在用于向第一TFT 20提供图像信号的数据线“ sig”与像素区域中的保留电容“ cap”与反电极“ op”之间形成该堤层“堤”,以防止寄生电容的产生。在数据线“ sig”上生成。
版权:(C)2004,日本特许厅
公开/公告号JP3873965B2
专利类型
公开/公告日2007-01-31
原文格式PDF
申请/专利权人 セイコーエプソン株式会社;
申请/专利号JP20030379858
发明设计人 小澤 徳郎;
申请日2003-11-10
分类号G09F9/30;H01L27/32;H01L29/786;H05B33/12;H01L51/50;H05B33/22;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:07:46