机译:晶片平坦度评估方法,执行该评估方法的晶片平坦度评估设备,使用该评估方法的晶片制造方法,使用该评估方法的晶片质量保证方法,使用该评估方法的半导体器件制造方法以及使用通过评估的晶片的半导体器件制造方法评估方法
公开/公告号US2007177126A1
专利类型
公开/公告日2007-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 TADAHITO FUJISAWA;SOICHI INOUE;MAKOTO KOBAYASHI;MASASHI ICHIKAWA;TSUNEYUKI HAGIWARA;KENICHI KODAMA;
申请/专利号US20070710410
发明设计人 TADAHITO FUJISAWA;SOICHI INOUE;MAKOTO KOBAYASHI;MASASHI ICHIKAWA;TSUNEYUKI HAGIWARA;KENICHI KODAMA;
申请日2007-02-26
分类号G03B27/58;
国家 US
入库时间 2022-08-21 21:04:48