要解决的问题:提供即使在400-600C的工作温度下原子渗透性也得到改善的金属薄膜。
解决方案:包括金属成分和分散在金属成分的晶界中的氧化物。通过溅射同时形成构成金属组合物的金属靶和构成氧化物的氧化物靶。该氧化物由氧化锆,没食子酸镧和二氧化铈中的任一种组成。金属组合物由以铜,银,铂,钯和金中的一种或两种以上为主要成分的合金构成。
版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2008243744A
专利类型
公开/公告日2008-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 UNIV OF TOKYO;
申请/专利号JP20070086069
申请日2007-03-28
分类号H01M4/86;H01M4/88;H01M8/12;C23C14/14;B01D71/02;B01J19;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:22:32