要解决的问题:减少放电管内表面的等离子体损失。
解决方案:提供由绝缘体构成的放电管5和布置在放电管5周围的线圈3。通过对线圈3施加高频,在放电管5中产生等离子体。作为导体的法拉第屏蔽4安装在放电管5与线圈3之间,并具有多个狭缝4S。多个永磁体6被安装在多个缝隙之间并且在法拉第屏蔽4的外部,并且在放电管5中产生多极场B。
版权所有:(C)2008,JPO&INPIT
公开/公告号JP2008128887A
专利类型
公开/公告日2008-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 AE KIKI ENGINEERING CO LTD;
申请/专利号JP20060315619
申请日2006-11-22
分类号G21B1/11;H01J27/02;H01J37/30;H01J27/16;H01J37/08;H05H3;H05H1/46;H05H1/24;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:21:23