首页> 外国专利> RAJEEV ELECTRONS ENHANCEMENT TECHNOLOGY

RAJEEV ELECTRONS ENHANCEMENT TECHNOLOGY

机译:拉耶夫电子增强技术

摘要

The difference between degree angle of electrons pressure variance and degree angles of electrons flow is increased and the resultant electricity is used to charge capacitors and then discharging which results in the production of enhanced power at output with reduced difference of degree of angle of pressure variance of electrons and degree of angles of electrons flow.
机译:电子压力方差的度角和电子流动度角之间的差增大,并且所产生的电流用于对电容器充电然后放电,这导致输出功率的产生得到增强,而压力方差的角差减小。电子和电子流动的角度。

著录项

  • 公开/公告号IN2010CH01820A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN1820/CHE/2010

  • 发明设计人 RAJEEV K R;

    申请日2010-06-28

  • 分类号H02M1/00;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 18:46:07

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号