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Nano-Sized Ultrathin-Film Dielectric, Process for Producing the Same and Nano-Sized Ultrathin Film Dielectric Device

机译:纳米级超薄膜介电体,其制造方法和纳米级超薄膜介电体

摘要

A nano-sized ultrathin film dielectric composed mainly of either a single nanosheet of titanium oxide obtained by exfoliating layer titanium oxide or a laminate thereof. Thus, there can be accomplished low-temperature production of a dielectric device that simultaneously realizes high dielectric constant and excellent insulating performance in nanoregions and reduces influences of substrate interface deterioration and nonstoichiometry.
机译:一种纳米级超薄薄膜电介质,其主要由通过剥落二氧化钛层获得的单个二氧化钛纳米片或其层压材料组成。因此,可以实现介电器件的低温生产,该介电器件在纳米区域中同时实现高介电常数和优异的绝缘性能,并减小基板界面劣化和非化学计量的影响。

著录项

  • 公开/公告号US2011000698A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MINORU OSADA;TAKAYOSHI SASAKI;

    申请/专利号US20070223865

  • 发明设计人 MINORU OSADA;TAKAYOSHI SASAKI;

    申请日2007-02-08

  • 分类号H01B3/00;B32B37/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:10:49

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