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Growing 110 silicon on 001 oriented substrate with rare-earth oxide buffer film

机译:用稀土氧化物缓冲膜在[001]取向的衬底上生长[110]硅

摘要

An assembly and method of making the same wherein the assembly incorporates a rare-earth oxide film to form a [110] crystal lattice orientation semiconductor film. The assembly comprises a substrate, a rare-earth oxide film formed on the substrate, and a [110]-oriented semiconductor film formed on the rare-earth oxide film. The rare-earth oxide film having a [110] crystal lattice orientation. The substrate has a [001] crystal lattice orientation.
机译:一种组件和制造该组件的方法,其中该组件结合有稀土氧化物膜以形成[110]晶格取向半导体膜。该组件包括基板,形成在基板上的稀土氧化物膜以及形成在稀土氧化物膜上的[110]取向的半导体膜。具有[110]晶格取向的稀土氧化物膜。基底具有[001]晶格取向。

著录项

  • 公开/公告号US7910462B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAXIM B. KELMAN;

    申请/专利号US20060582048

  • 发明设计人 MAXIM B. KELMAN;

    申请日2006-10-16

  • 分类号H01L21/20;C30B25/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:08:44

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