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Apparatus for rapid thermal annealing and method of activating impurities using the same

机译:快速热退火设备和使用该设备进行杂质活化的方法

摘要

The present invention relates to a rapid heat treatment device , more specifically to the substrate during the manufacturing process of the liquid crystal display device relates to a lamp in rapid heat treatment apparatus in the heat treatment process that allows to maximize the effectiveness of the implanted ion activation , the light energy emitted by the lamp to further agglomerated with a lens bar , which can be irradiated onto the substrate so that the lens the light irradiation area can be adjusted according to the desired range by , as well as the advantage is easy to control the degree of activation .
机译:快速热处理装置技术领域本发明涉及一种快速热处理装置,更具体地,涉及一种在液晶显示装置的制造过程中的基板,涉及一种在热处理过程中能够使注入离子的效率最大化的快速热处理装置中的灯。激活时,灯发出的光能进一步与透镜棒聚结,可以照射到基板上,从而可以根据所需的范围调节透镜的光照射面积,而且优点是容易控制激活程度。

著录项

  • 公开/公告号KR101025444B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20030075331

  • 发明设计人 윤인수;

    申请日2003-10-28

  • 分类号G02F1/13;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:50:28

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