首页> 外国专利> Method of Fabricating Silicon Nanowire Solar Cell Device Having Upgraded Metallurgical Grade Silicon Substrate

Method of Fabricating Silicon Nanowire Solar Cell Device Having Upgraded Metallurgical Grade Silicon Substrate

机译:具有升级的冶金级硅衬底的硅纳米线太阳能电池器件的制造方法

摘要

A simplified method for fabricating a solar cell device is provided. The solar cell device has silicon nanowires (SiNW) grown on an upgraded metallurgical grade (UMG) silicon (Si) substrate. Processes of textured surface process and anti-reflection thin film process can be left out for further saving costs on equipment and manufacture investment. Thus, a low-cost Si-based solar cell device can be easily fabricated for wide application.
机译:提供了一种用于制造太阳能电池装置的简化方法。该太阳能电池装置具有在升级的冶金级(UMG)硅(Si)衬底上生长的硅纳米线(SiNW)。可以省去纹理表面处理和减反射薄膜处理的过程,以进一步节省设备成本和制造投资。因此,可以容易地制造低成本的基于Si的太阳能电池装置以用于广泛的应用。

著录项

  • 公开/公告号US2012070938A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TSUN-NENG YANG;

    申请/专利号US20100885095

  • 发明设计人 TSUN-NENG YANG;

    申请日2010-09-17

  • 分类号H01L31/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:32:13

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号