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Flash memory storage system applying SLC NAND flash memory and MLC NAND flash memory and data writing method thereof

机译:应用slc NAND闪存和mlc NAND闪存的闪存存储系统及其数据写入方法

摘要

A flash memory storage system and a data writing method thereof are provided. The flash memory storage system includes a controller, a connector, a cache memory, a SLC NAND flash memory and a MLC NAND flash memory. When the controller receives data to be written into the MLC NAND flash memory from a host system, the data is temporarily stored in the cache memory first and then is written into the MLC NAND flash memory from the cache memory. And, the controller may backup the data stored in the cache memory to the SLC NAND flash memory. Accordingly, it is possible to reduce a response time for a flush command, thereby improving a performance of the flash memory storage system.
机译:提供了一种闪存存储系统及其数据写入方法。闪存存储系统包括控制器,连接器,高速缓冲存储器,SLC NAND闪存和MLC NAND闪存。当控制器从主机系统接收到要写入到MLC NAND闪存中的数据时,首先将数据临时存储在缓存中,然后再从缓存中写入MLC NAND闪存中。并且,控制器可以将存储在高速缓冲存储器中的数据备份到SLC NAND闪存。因此,可以减少对刷新命令的响应时间,从而提高闪存存储系统的性能。

著录项

  • 公开/公告号US8234466B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHIH-KANG YEH;

    申请/专利号US20080263040

  • 发明设计人 CHIH-KANG YEH;

    申请日2008-10-31

  • 分类号G06F12/00;G06F13/00;G06F13/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:28:06

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