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Solution-based synthesis of CsSnI3 thin films

机译:基于溶液的CsSnI 3 薄膜的合成

摘要

This invention discloses a solution-based synthesis of cesium tin tri-iodide (CsSnI3) film. More specifically, the invention is directed to a solution-based spray-coating synthesis of cesium tin tri-iodide (CsSnI3) thin films. This invention is also directed to effective and inexpensive methods to synthesize the thin CsSnI3 films on large-area substrates such as glass, ceramics, glass, ceramic, silicon, and metal foils. CsSnI3 films are ideally suited for a wide range of applications such as light emitting and photovoltaic devices.
机译:本发明公开了一种溶液法合成三碘化铯锡(CsSnI 3 )薄膜。更具体地,本发明涉及三碘化铯锡锡(CsSnI 3 )薄膜的基于溶液的喷涂合成。本发明还涉及在大面积基底如玻璃,陶瓷,玻璃,陶瓷,硅和金属箔上合成CsSnI 3 薄膜的有效而廉价的方法。 CsSnI 3 膜非常适合广泛的应用,例如发光和光伏器件。

著录项

  • 公开/公告号US8840809B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KAI SHUM;ZHUO CHEN;YUHANG REN;

    申请/专利号US201213491564

  • 发明设计人 ZHUO CHEN;KAI SHUM;YUHANG REN;

    申请日2012-06-07

  • 分类号C09K11/02;C09K11/08;C09K11/77;H01L31/18;H01L31/032;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/26;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:04:26

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