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Precursors for formation of copper selenide, indium selenide, copper indium diselenide, and/or copper indium gallium diselenide films

机译:用于形成硒化铜,硒化铟,二硒化铜铟和/或铜铟镓二硒化物膜的前体

摘要

Liquid-based precursors for formation of Copper Selenide, Indium Selenide, Copper Indium Diselenide, and/or copper Indium Galium Diselenide include copper-organoselenides, particulate copper selenide suspensions, copper selenide ethylene diamine in liquid solvent, nanoparticulate indium selenide suspensions, and indium selenide ethylene diamine coordination compounds in solvent. These liquid-based precursors can be deposited in liquid form onto substrates and treated by rapid thermal processing to form crystalline copper selenide and indium selenide films.
机译:用于形成硒化铜,硒化铟,铜硒化铟和/或铜硒化铟镓的液体基前体包括铜有机硒化物,粒状硒化铜悬浮液,硒化铜在液体溶剂中的乙二胺,纳米颗粒硒化铟悬浮液和硒化铟乙二胺配位化合物在溶剂中。这些基于液体的前体可以以液体形式沉积在基板上,并通过快速热处理进行处理以形成结晶的硒化铜和硒化铟膜。

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