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A method for distinguishing the P -channel or N -channel devices based on different etch rates

机译:一种基于不同蚀刻速率区分P沟道或N沟道器件的方法

摘要

How the devices on CMOS integrated circuits already exist to identify or p-channel device or an n-channel device . The method includes the step of etching the CESL to occur at different rates with respect to two different types of contact etch stop layer (CESL), by which , due to the fact that to investigate the amount of the remaining material unetched I allow for the specific device type .
机译:CMOS集成电路上的设备如何已经存在以识别p通道设备或n通道设备。该方法包括以下步骤:相对于两种不同类型的接触蚀刻停止层(CESL),蚀刻CESL以不同的速率发生,由于调查未蚀刻的剩余材料的数量,我考虑到了这一点。特定的设备类型。

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