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Method for compensating for wafer shape measurement variation due to variation of environment temperature

机译:补偿由于环境温度变化引起的晶片形状测量变化的方法

摘要

Disclosed herein is a method and apparatus for reducing measurement error resulting from temperature variations across a wafer, without measuring the wafer temperature, the temperature gradient in the surrounding air, or the distribution of the index of refraction of the air.
机译:本文公开了一种用于减少由晶片上的温度变化引起的测量误差的方法和设备,而无需测量晶片温度,周围空气中的温度梯度或空气的折射率分布。

著录项

  • 公开/公告号US8949057B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KIBYUNG SEONG;SHOUHONG TANG;

    申请/专利号US201113283330

  • 发明设计人 SHOUHONG TANG;KIBYUNG SEONG;

    申请日2011-10-27

  • 分类号G01B9/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:16:56

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