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Method for producing a zinc oxide thin film, a method of manufacturing a thin film transistor, zinc oxide thin film, thin film transistors and transparent oxide wiring

机译:氧化锌薄膜的制造方法,薄膜晶体管的制造方法,氧化锌薄膜,薄膜晶体管及透明氧化物配线

摘要

method for producing a zinc oxide thin film of zinc ions, in a solution containing hydroxide ions and zinc complex ions, immersing a substrate having a conductive region on at least a part, an alternating current to the conductive portion by energizing, to form a zinc oxide thin film in a region including the conductive sites on the substrate.
机译:在含有氢氧根离子和锌络合离子的溶液中,通过将至少一部分具有导电区域的基板通过通电浸入交流电的方法,将锌离子的氧化锌薄膜的制造方法浸入到导电部分中,从而形成锌。在包括衬底上的导电部位的区域中氧化薄膜。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2014007250A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社ニコン;

    申请/专利号JP20140523752

  • 发明设计人 西 康孝;中積 誠;

    申请日2013-07-02

  • 分类号C25D9/04;C01G9/02;H01L29/786;H01L21/336;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:39:52

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