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METHOD OF MANUFACTURING A MONOLAYER GRAPHENE PHOTODETECTOR AND MONOLAYER GRAPHENE PHOTODETECTOR

机译:制备单层石墨烯光电检测器和单层石墨烯光电检测器的方法

摘要

In various embodiments of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a monolayer graphene photodetector, the method including forming a graphene quantum dot array in a graphene monolayer, and forming an electron trapping center in the graphene quantum dot array. Accordingly, a monolayer graphene photodetector is also provided.
机译:在本公开的各种实施例中,提供了一种制造单层石墨烯光电检测器的方法,该方法包括在石墨烯单层中形成石墨烯量子点阵列,以及在石墨烯量子点阵列中形成电子俘获中心。因此,还提供了单层石墨烯光电检测器。

著录项

  • 公开/公告号US2016005894A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY;

    申请/专利号US201414766064

  • 发明设计人 YONGZHE ZHANG;QIJIE WANG;

    申请日2014-03-20

  • 分类号H01L31/0352;H01L31/028;H01L27/144;H01L31/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:31:15

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