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Method of preparing Anisotropic Heterojunction Nanostructure and the Nanostructure thereof

机译:各向异性异质结纳米结构的制备方法及其纳米结构

摘要

The present invention relates to a method for producing a heterogeneously bonded anisotropic nanostructure in which two semiconductor materials are present in a nanostructure while maintaining a nanostructure structure by applying a new cation exchange method to an anisotropic nanostructure and a nanostructure therefrom.The present invention can produce heterogeneous nanostructures by cation exchange of semiconductor materials while maintaining the structure of an anisotropic nanostructure using HSAB theory and ligands.;
机译:本发明涉及一种制备异质键合的各向异性纳米结构的方法,其中通过将新的阳离子交换方法应用于各向异性纳米结构及其纳米结构,在纳米结构中存在两种半导体材料,同时保持纳米结构,而本发明可以制备。通过使用HSAB理论和配体保持半导体纳米材料的各向异性,通过半导体材料的阳离子交换形成异质纳米结构。

著录项

  • 公开/公告号KR101708996B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR20150063207

  • 发明设计人 이동규;이도창;

    申请日2015-05-06

  • 分类号B22F9/24;B82B3/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:25:59

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