首页> 外国专利> Efficient Lattice Kinetic Monte Carlo Simulations for Epitaxial Growth

Efficient Lattice Kinetic Monte Carlo Simulations for Epitaxial Growth

机译:外延生长的高效晶格动力学蒙特卡洛模拟

摘要

A method for simulating an epitaxial process in a body having a crystal lattice structure. Roughly described, an enlarged version of the crystal lattice structure is formed, having a lattice constant increased by a lattice enlargement factor N1. The subject fabrication process is simulated by a Lattice Kinetic Monte Carlo algorithm in which various factors have been scaled in accordance with N. The simulation speed increases by a factor around N3, without significantly degrading the accuracy of the resulting simulated structure. The simulated epitaxial process can later be performed on a physical crystalline body.
机译:在具有晶格结构的物体中模拟外延过程的方法。粗略地描述,形成了晶格结构的放大形式,其晶格常数增加了晶格增大因子N> 1。通过莱迪思动力学蒙特卡洛算法对目标制造过程进行仿真,其中各种因素均已根据N进行缩放。仿真速度增加了N 3 左右,而不会显着降低加工精度。生成的模拟结构。稍后可以在物理晶体上执行模拟的外延工艺。

著录项

  • 公开/公告号US2018157774A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SYNOPSYS INC.;

    申请/专利号US201715829560

  • 发明设计人 IGNACIO MARTIN-BRAGADO;

    申请日2017-12-01

  • 分类号G06F17/50;G06F17/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:00:58

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号