机译:碳化硅半导体衬底,制造碳化硅半导体衬底的方法以及制造碳化硅半导体器件的方法,其中在基底衬底的与形成外延层的主表面相对的背面上形成凹陷抑制层
公开/公告号US9818608B2
专利类型
公开/公告日2017-11-14
原文格式PDF
申请/专利号US201414910169
申请日2014-06-25
分类号H01L29/78;H01L21/02;H01L21/04;H01L29/66;H01L29/16;H01L29/06;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:56:42