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GRAPHENE BASED IN-PLANE MICRO-SUPERCAPACITORS

机译:基于石墨烯的平面微超级电容器

摘要

An integrated circuit with improved performance includes conventional integrated circuit layers including at least one integrated circuit power layer; an insulator material layer with a lattice structure deposited across the conventional integrated circuit layers; a first graphene layer deposited on the insulator material layer; a dielectric layer deposited on the first graphene layer; a second graphene layer deposited on the dielectric layer; a top passivation layer deposited on the second graphene layer; a first metallization post extending from the first graphene layer to the at least one integrated circuit power layer; and a second metallization post extending from the second graphene layer to the at least one integrated circuit power layer.
机译:一种具有改进性能的集成电路,包括常规集成电路层,其包括至少一个集成电路电源层;在整个常规集成电路层上沉积的具有晶格结构的绝缘体材料层;沉积在绝缘体材料层上的第一石墨烯层;沉积在第一石墨烯层上的介电层;沉积在介电层上的第二石墨烯层;沉积在第二石墨烯层上的顶部钝化层;从第一石墨烯层延伸到至少一个集成电路功率层的第一金属化柱;从第二石墨烯层延伸到至少一个集成电路功率层的第二金属化柱。

著录项

  • 公开/公告号US2018254318A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WILLIAM B POHLMAN III;

    申请/专利号US201715791792

  • 发明设计人 WILLIAM B POHLMAN III;

    申请日2017-10-24

  • 分类号H01L49/02;H01L23/522;H01L23/532;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:55:47

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