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FORMING METHOD OF METAL OXIDE LAYER ON GRAPHENE METAL OXIDE LAYER ON GRAPHENE FORMED THEREBY AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE METAL OXIDE LAYER ON GRAPHENE

机译:在石墨烯上的金属氧化物层的形成方法在其上形成的石墨烯上的金属氧化物层和在石墨烯上的包括该金属氧化物层的电子装置

摘要

The present invention relates to a metal oxide layer on graphene with high light transmittance, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the metal oxide layer on graphene. According to one embodiment of the present invention, the manufacturing method of the metal oxide layer on graphene comprises the steps of modifying a surface of the graphene and forming the metal oxide layer on the graphene using atomic layer deposition (ALD).
机译:本发明涉及具有高透光率的石墨烯上的金属氧化物层,其制造方法以及包括该石墨烯上的金属氧化物层的电子器件。根据本发明的一个实施例,在石墨烯上的金属氧化物层的制造方法包括以下步骤:使用原子层沉积(ALD)来改性石墨烯的表面,并在石墨烯上形成金属氧化物层。

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