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Method of growing germanium crystals

机译:生长锗晶体的方法

摘要

In accordance with the present invention, taught is a high purity germanium crystal growth method utilizing a quartz shield inside a steel furnace. The quartz shield is adapted for not only guiding the flow of an inert gas but also preventing the germanium melt from contamination by insulation materials, graphite crucible, induction coil and stainless steel chamber. A load cell provides automatic control of crystal diameter and helps to ensure exhaustion of the germanium melt. The method is both convenient and effective at producing high purity germanium crystals by relatively low skilled operators.
机译:根据本发明,教导了一种在钢炉内利用石英护罩的高纯度锗晶体生长方法。石英防护罩不仅适用于引导惰性气体的流动,而且还可以防止锗熔体受到绝缘材料,石墨坩埚,感应线圈和不锈钢室的污染。称重传感器可自动控制晶体直径,并有助于确保锗熔体耗尽。该方法对于熟练程度相对较低的操作人员既方便又有效地生产高纯度锗晶体。

著录项

  • 公开/公告号US10125431B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOUTH DAKOTA BOARD OF REGENTS;

    申请/专利号US201414900426

  • 发明设计人 GUOJIAN WANG;DONGMING MEI;

    申请日2014-06-20

  • 分类号C30B15/20;C30B15/28;C30B29/08;C30B15/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:12:17

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