机译:具有设置在栅极绝缘膜上并且在源电极和漏电极之间的氧化物绝缘层的场效应晶体管(FET)以及包括所述FET的显示元件,显示器和系统以及制造所述FET的方法
公开/公告号US10312373B2
专利类型
公开/公告日2019-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 SADANORI ARAE;NAOYUKI UEDA;YUKI NAKAMURA;YUKIKO ABE;SHINJI MATSUMOTO;YUJI SONE;RYOICHI SAOTOME;MINEHIDE KUSAYANAGI;
申请/专利号US201615349211
发明设计人 SADANORI ARAE;NAOYUKI UEDA;YUKI NAKAMURA;YUKIKO ABE;SHINJI MATSUMOTO;YUJI SONE;RYOICHI SAOTOME;MINEHIDE KUSAYANAGI;
申请日2016-11-11
分类号G09G3/36;G09G3/34;H01L29/786;H01L21/8234;H01L27/12;H01L21/4757;H01L21/4763;H01L21/02;H01L29/66;G02F1/1368;H01L27/32;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:12:05