机译:使用指示至少一个尖端到一侧的短路或泄漏,至少一个倒角短路或泄漏以及至少一个角部短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中,这些测量是从非-接触垫分别与尖端到侧面的短路,倒角短路和拐角短路测试区域相关
公开/公告号US10199286B1
专利类型
公开/公告日2019-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 PDF SOLUTIONS INC.;
申请/专利号US201815942470
发明设计人 STEPHEN LAM;DENNIS CIPLICKAS;TOMASZ BROZEK;JEREMY CHENG;SIMONE COMENSOLI;INDRANIL DE;KELVIN DOONG;HANS EISENMANN;TIMOTHY FISCUS;JONATHAN HAIGH;CHRISTOPHER HESS;JOHN KIBARIAN;SHERRY LEE;MARCI LIAO;SHENG-CHE LIN;HIDEKI MATSUHASHI;KIMON MICHAELS;CONOR OSULLIVAN;MARKUS RAUSCHER;VYACHESLAV ROVNER;ANDRZEJ STROJWAS;MARCIN STROJWAS;CARL TAYLOR;RAKESH VALLISHAYEE;LARG WEILAND;NOBUHARU YOKOYAMA;
申请日2018-03-31
分类号H01L29;H01L21/66;H01L27/118;H01L29/417;H01L27/02;H01L23/528;G06F11/07;G06F17/50;H01L29/06;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:08:39