机译:横向磁场对光束束聚集区域的束调制装置和使用深度剂量调制装置的束流辐射治疗装置以及在束束上的剂量横向束流和束流调制的方法
公开/公告号KR20190000464A
专利类型
公开/公告日2019-01-03
原文格式PDF
申请/专利号KR20170079502
发明设计人 KWAK JUNG WON;LEE SANG WOOK;CHO BYUNG CHUL;AHN SEUNG DO;CHOI WON SIK;AHN WOO SANG;JEONG CHI YOUNG;SHIN SEONG SOO;YOON KYOUNG JUN;
申请日2017-06-23
分类号A61N5/10;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 11:51:56