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DOUBLE SPACER IMMERSION LITHOGRAPHY TRIPLE PATTERNING FLOW AND METHOD

机译:双间隔浸印光刻三重图案化流程和方法

摘要

A system and method for fabricating metal patterns are described. Multiple mandrels are formed on a first polysilicon layer which is on top of a first oxide layer. Each mandrel uses a second polysilicon on top of a first nitride. A spacer oxide and a spacer nitride are formed on the sidewalls of the mandrels to create double spacers. A second oxide layer is deposited followed by removing layers until the first nitride in the mandrels is reached. Areas are etched based on a selected method of multiple available methods until the first oxide layer is etched providing trenches for the metal patterns. Remaining materials on the first oxide layer are removed followed by metal being deposited in the trenches in the first oxide layer.
机译:描述了一种用于制造金属图案的系统和方法。在第一氧化物层顶部的第一多晶硅层上形成多个心轴。每个心轴在第一氮化物的顶部上使用第二多晶硅。在心轴的侧壁上形成隔离氧化物和隔离氮化物,以形成双隔离物。沉积第二氧化物层,然后去除层直到到达芯轴中的第一氮化物。基于多种可用方法中的选定方法来蚀刻区域,直到蚀刻第一氧化物层以提供用于金属图案的沟槽为止。去除第一氧化物层上的剩余材料,然后将金属沉积在第一氧化物层的沟槽中。

著录项

  • 公开/公告号EP3619737A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号EP20180725083

  • 发明设计人 SCHULTZ RICHARD T.;

    申请日2018-04-27

  • 分类号H01L21/033;H01L21/311;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:40:16

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