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SiC JFET logic output level-shifting using integrated-series forward-biased JFET gate-to-channel diode junctions

机译:SiC JFET逻辑输出电平转换,采用集成系列正向偏置JFET栅极至沟道二极管结

摘要

An improved electrical circuit for logic output level shifting using SiC JFETs with resistors on the input, inverting, stage and using diode degenerated JFET sources in the output stage.
机译:一种改进的电路,用于通过在输入,反相,级上使用电阻器的SiC JFET在输出级中使用二极管退化的JFET源来进行逻辑输出电平转换。

著录项

  • 公开/公告号US10608636B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATTHEW BARLOW;JAMES A. HOLMES;

    申请/专利号US201816183130

  • 发明设计人 MATTHEW BARLOW;JAMES A. HOLMES;

    申请日2018-11-07

  • 分类号H03K19/003;H03K19/0185;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:27:46

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