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Lattice-Mismatched Semiconductor Structures with Reduced Dislocation Defect Densities and Related Methods for Device Fabrication

机译:晶格失配的半导体结构,具有降低的位错缺陷密度和相关的器件制造方法

摘要

A method of forming a semiconductor structure includes forming an opening in a dielectric layer, forming a recess in an exposed part of a substrate, and forming a lattice-mismatched crystalline semiconductor material in the recess and opening.
机译:形成半导体结构的方法包括:在介电层中形成开口;在衬底的暴露部分中形成凹部;以及在凹部和开口中形成晶格不匹配的晶体半导体材料。

著录项

  • 公开/公告号US2020194559A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.;

    申请/专利号US201916705863

  • 发明设计人 JIZHONG LI;ANTHONY J. LOCHTEFELD;

    申请日2019-12-06

  • 分类号H01L29/205;H01L21/02;H01L21/8238;H01L21/8252;H01L21/8258;H01L27/06;H01L29/04;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/10;H01L31/036;H01L31/0735;H01L33;H01L33/18;H01S5/22;H01S5/323;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:25:26

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