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TRANSITION METAL CHALCOGENIDE VAN DER WAALS FILMS, METHODS OF MAKING SAME, AND APPARATUSES AND DEVICES COMPRISING SAME

机译:过渡金属硫属化物范德华膜,制造方法以及构成该装置的装置和设备

摘要

Provided are van der Waals (VDW) films comprising one or more transition metal chalcogenide (TMD) films. Also provided are methods of making VDW films. The methods are based on transfer of monolayer TMD films under vacuum, for example, using a handle layer. Also provided are apparatuses and devices comprising one or more VDW film.
机译:提供包括一种或多种过渡金属硫属化物(TMD)膜的范德华(VDW)膜。还提供了制造VDW膜的方法。所述方法基于真空下单层TMD膜的转移,例如使用处理层。还提供了包括一个或多个VDW膜的设备和装置。

著录项

  • 公开/公告号US2020083037A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CORNELL UNIVERSITY;

    申请/专利号US201716316171

  • 申请日2017-07-10

  • 分类号H01L21/02;H01L29/88;H01L29/24;H01L29/36;H01L21/683;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:24:49

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